中国团队在芯片领域获重要突破

14日，中国科学院半导体研究所等团队研制出新型“铁电隧穿结”，它利用原子层间仅埃米级的微小滑移，就能让开关电阻相差约1900万倍，还能反复开关超过1000亿次，为开发更省电、更耐用的存储和存算一体芯片提供新路径。