SK 海力士在美 HBM 生产基地奠基：2029H2 产出首款“美国造”HBM

IT之家 8 月 28 日消息，SK 海力士 (SK hynix) 当地时间 27 日在美国印第安纳州西拉斐特举行了面向 AI 的存储器先进封装生产基地奠基仪式。这座后端工艺晶圆厂总投资额将超过 40 亿美元（IT之家注：现汇率约合 269.49 亿元人民币），预计于 2028 年 10 月完成无尘室建设，并于 2029 年下半年启动新一代 HBM 量产，总员工数量有望超 1000 名。由于 SK 海力士没有在美国的前端 DRAM 晶圆产能，因此印第安纳州封装基地将使用在韩国生产的先进晶圆。SK 海力士还将与生产线同步构建“先进封装研发测试床”，以便与客户、大学及商业合作伙伴共同开发下一代封装技术，并能够快速推进原型试制与性能验证。此外，SK 海力士还与普渡大学签署研发合作谅解备忘录。