消息称三星已锁定约 70% 存储芯片产能至 2031 年，HBM 长协价仅为现货五分之一

IT之家 9 月 1 日消息，随着人工智能基础设施建设持续推动高带宽内存（HBM）需求增长，据韩国媒体最新报道，三星已经通过长期供应协议（LTA）锁定了约 70% 的内存产能。这些长期协议能够让三星客户获得远低于现货市场的价格。据报道，HBM 现货价格最高可达到长期协议价格的 5 倍。SEDaily 报道称，HBM 需求持续飙升，已经导致 DRAM 市场供应趋紧。HBM 可以理解为将多层 DRAM 芯片进行堆叠封装而成的高性能内存。随着内存厂商开始向 HBM4 过渡，DRAM 市场面临的供应压力也进一步加大。报道称，与此前的 HBM 产品相比，新一代 HBM4 单个模块使用的 DRAM 堆叠层数更多，因此会占用更多 DRAM 产能，并进一步减少可用于其他用途的 DRAM 供应量。受此影响，韩国两大存储芯片厂商三星和 SK 海力士已经开始考虑进一步扩大内存产能。具体来看，三星正在考虑将其位于平泽园区的 S5 晶圆厂改造为内存制造工厂；而 SK 海力士则有意与一家日本企业合作，共同建设一家合资工厂。更值得关注的是，该报道称，三星已经将高达 70% 的内存产能预留给长期供应协议，以满足最远持续至 2031 年的内存芯片供应合同。长期供应协议（LTA）是近年来存储芯片市场出现的一种新模式。分析人士认为，这类协议能够让厂商提前锁定需求，提高市场需求的可预测性，从而在一定程度上削弱存储芯片行业传统的周期性波动。据报道，微软、英伟达和谷歌均是三星长期供应协议的客户。此外，长期协议价格与现货价格之间存在明显差距。报道称，一颗 36GB HBM3E 模组目前的现货价格约为 287 万韩元（IT之家注：现汇率约合 14,031 元人民币），而长期供应协议中，同类产品的价格仅为 50 万至 70 万韩元（现汇率约合 2,445 至 3,422 元人民币）。对于采用 16 层 DRAM 堆叠的 HBM4 产品，价格还会进一步上涨，单个模组的价格约为 480 万韩元（现汇率约合 23,467 元人民币）。